盖世汽车讯 据外媒报道，半导体制造商意法半导体（STMicroelectronics, ST）推出了一系列采用全新Smart STripFET F8技术制造的低导通电阻（RDS(on)）MOSFET，该技术旨在实现最佳导通性能和小芯片尺寸。这些器件面向空间受限的应用，例如汽车产品中的电源分配和电池管理。

图片来源：意法半导体

该系列的首款器件STL059N4S8AG是一款40V/420A的N沟道增强型MOSFET，导通电阻为0.59mΩ，采用PowerFLAT 5x6封装。紧凑的外形设计节省了PCB空间，便于设计更小的控制模块；同时，其高导热性和高效散热性能有助于满足严格的可靠性要求。此外，该器件的最高工作温度可达175°C。STL059N4S8AG符合AEC-Q101标准，其封装侧翼可湿润，便于在汽车组件中进行光学检测。

基于传统的STripFET F8技术，ST的Smart STripFET F8技术采用了改进的沟槽栅极，从而提升了导通性能和硅片面积效率。这些器件针对那些需要最大限度降低导通损耗以提高整体效率的应用进行了优化。它们尤其适用于大电流功率分配，可与STi²Fuse VIPower栅极驱动器有效配合使用，后者提供可调的电路断开功能，从而保护PCB走线、连接器和线路。

在汽车应用中，Smart STripFET F8 MOSFET能够高效地将电池的更多能量输送到车载电气系统，同时降低功耗，从而有助于延长续航里程。在电池管理系统（BMS）中，其主要功能是监控电池状态、均衡和保护，MOSFET更低的导通电阻可提高电池充放电过程中的效率。

STL059N4S8AG现已量产，属于车规级产品。额定电流为350A、导通电阻为0.75mΩ的STL075N4S8AG和额定电流为780A、导通电阻为0.35mΩ的STK035N4S8AG将稍后推出。